ROHM开发出1mm见方超小型车载MOSFET

: 发布时间:2020-09-29 15:35 来源:网络

提升散热性与安装可靠性,非常适用于日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”,尺寸仅为1.0mm×1.0mm。

新产品采用融入ROHM自有工艺方法的Wettable Flank成型技术※2,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保证了封装侧面电极部分125μm的高度,属于业内较高水平。经自动光学检查(以下简称“AOI”※3),在追求品质的车载相关设备上安装重要元器件后会实施该检查)确认,实现了非常出色的焊接可靠性。另外,通常小型化和高散热性之间存在着矛盾权衡关系,采用底部电极结构的新封装同时兼顾了小型化与高散热性,非常适用于电路板高密度化的车载ECU和高级驾驶辅助系统(ADAS)等相关设备。

新产品已于2020年9月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格:100日元/个,不含税)。

近年来,随着汽车电子化进程的加速,一台汽车中使用的电子元器件和半导体元器件数量呈增多趋势。因此,需要在有限的空间里安装更多的元器件,安装密度越来越高。例如,1个车载ECU中的半导体和积层陶瓷电容器的平均搭载数量,预计到2025年将从2019年的186个※增加至230个※,增加近3成。为了满足安装密度越来越高的车载应用的需求,市场对小型化的要求也越来越高,因此能够兼顾小型和高散热性的底部电极封装形式开始受到青睐。

另一方面,对于车载元器件,为确保可靠性,虽然会在安装元器件后实施AOI,但由于底部电极封装只在底部有电极,故无法确认焊接状态,进行车载标准的AOI有一定难度。

※截至2020年9月29日据ROHM调查

新产品采用ROHM自有的Wettable Flank成型技术,成功解决了这一课题,并实现了车载用超小型MOSFET,得到了越来越多的汽车领域制造商的青睐。未来,不仅在MOSFET领域,ROHM 也会在双极晶体管和二极管领域的产品阵容进行不断扩充。

<特点>

1. 利用融入ROHM自有工艺方法的Wettable Flank成型技术, 保证封装侧面电极部分125μm的高度

采用传统技术的底部电极封装,因其无法在引线框架侧面进行电镀加工,无法确保车载所需的焊料高度,难以实施AOI。新产品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技术, 实现达到引线框架上限的电镀加工,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保证封装侧面电极部分高度达125μm。即使是底部电极封装,也可实现稳定的焊接圆角,通过元器件安装后的AOI可切实确认焊接状态。

2. 替换为超小型、高散热性的MOSFET,可应对电路板的高密度化

新产品尺寸仅为1.0mm×1.0mm(DFN1010封装),却实现了与2.9mm×2.4mm尺寸(SOT-23封装)同等的性能,可削减安装面积达85%左右。不仅如此,通过采用散热性能优异的底部电极,与SOT-23封装相比,可将通常因体积缩小而降低的散热性提高65%。新产品兼顾了小型化与高散热性,非常适用于随功能增加,电路板日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备等应用。